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1. 基于65nm工藝的FPGA內(nèi)嵌3MHz-450MHz可配置電荷泵鎖相環(huán)設(shè)計(jì)研究
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2. 基于65nm工藝新型SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)
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3. 65nm工藝下單粒子加固鎖存器設(shè)計(jì)
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4. 65nm NOR Flash工藝整合技術(shù)研究
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5. 65nm近閾值SRAM穩(wěn)定性分析
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6. 基于65nm CMOS工藝的高速SRAM設(shè)計(jì)
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7. 基于65nm CMOS的快速響應(yīng)LDO設(shè)計(jì)
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8. 65nm NOR型閃存芯片RTS噪聲研究
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9. 65nm閃存基準(zhǔn)電壓調(diào)整算法的應(yīng)用和改進(jìn)
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10. 14 nm FinFET和65 nm平面工藝靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中子單粒子翻轉(zhuǎn)對(duì)比
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