【摘要】：大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來(lái)對(duì)大容量存儲(chǔ)器帶來(lái)了新的機(jī)遇,同時(shí)也提出了新的挑戰(zhàn)。浮柵存儲(chǔ)器是目前應(yīng)用最為廣泛的非易失性存儲(chǔ)器之一,占據(jù)了非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器90%以上的市場(chǎng)。研究表明存儲(chǔ)器尺寸的減小與工藝的改進(jìn)會(huì)帶來(lái)器件可靠性問(wèn)題,這其中隨機(jī)電報(bào)信號(hào)(RTS)的噪聲問(wèn)題由于器件工藝進(jìn)入納米時(shí)代而更為突出,噪聲會(huì)帶來(lái)信號(hào)的抖動(dòng),從而會(huì)影響信息讀取的正確性,甚至?xí)鹦酒δ芘c性能上的失效。本論文針對(duì)65nm工藝下NOR型閃存的隨機(jī)電報(bào)噪聲及其對(duì)于器件的可靠性影響展開(kāi)研究。主要研究?jī)?nèi)容包括:獲取了NOR型閃存隨機(jī)電報(bào)噪聲的基本參數(shù);通過(guò)隨機(jī)電報(bào)噪聲分析得到了RTS缺陷空間與能級(jí)分布;基于俘獲/發(fā)射截面模型研究了不同的閾值電壓狀態(tài)對(duì)于RTS時(shí)間常數(shù)的影響。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn),得到結(jié)論:隨著閾值電壓的增加,器件RTS噪聲的俘獲時(shí)間增加,發(fā)射時(shí)間減小;針對(duì)該現(xiàn)象,提出了俘獲/發(fā)射截面模型加以解釋。該工作主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)在于:首次研究了閾值電壓對(duì)于RTS信號(hào)以及相應(yīng)的RTS缺陷的影響,并建立了基于俘獲/發(fā)射截面的物理模型;對(duì)于陷阱俘獲/發(fā)射電子的過(guò)程,以及RTS噪聲對(duì)于器件閾值電壓的依賴(lài)有了更深刻的理解。這些結(jié)果對(duì)于NOR型閃存RTS噪音的物理機(jī)理、可靠性退化機(jī)制有著一定的科學(xué)意義。同時(shí),為改善NOR型閃存的可靠性提供參考。
[Abstract]:The arrival of the big data era brings new opportunities and challenges to large-capacity memory. Floating gate memory is one of the most widely used non-volatile memory, occupying more than 90% of the market of non-volatile semiconductor memory. Research shows that the reduction of memory size and the improvement of process will bring about devices. Reliability, of which random telegraph signal (RTS) noise problem is more prominent because of the device technology into the nano-era, noise will bring signal jitter, which will affect the correctness of information read, and even cause chip failure in function and performance. The main research contents are as follows: the basic parameters of NOR flash random telegraph noise are obtained; the defect space and energy level distribution of RTS are obtained by random telegraph noise analysis; and the influence of different threshold voltage states on RTS time constant is studied based on capture/emission cross section model. After a lot of experiments, it is concluded that with the increase of threshold voltage, the capture time of RTS noise increases and the emission time decreases, and a capture/emission cross section model is proposed to explain the phenomenon. The physical model of capture/emission cross section, the process of trapping/emission of electrons, and the dependence of RTS noise on the threshold voltage of the device have been deeply understood. These results have certain scientific significance for the physical mechanism of NOR flash RTS noise and the mechanism of reliability degradation. For reference.
【學(xué)位授予單位】：鄭州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類(lèi)號(hào)】：TP333;TN40

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本文編號(hào)：2221576