本文關(guān)鍵詞：65nm工藝下單粒子加固鎖存器設(shè)計(jì)

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【摘要】：隨著工藝尺寸的縮減,單粒子引發(fā)的軟錯(cuò)誤成為威脅電路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工藝,提出一種單粒子加固鎖存器設(shè)計(jì).首先針對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn),使用具有狀態(tài)保持功能的C單元,并且級(jí)聯(lián)成兩級(jí);然后針對(duì)單粒子瞬態(tài),將延遲單元嵌入在鎖存器內(nèi)部并與級(jí)聯(lián)C單元構(gòu)成時(shí)間冗余;最后選擇基于施密特觸發(fā)器的電路作為延遲單元.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,相比已有的加固設(shè)計(jì),該鎖存器不存在共模故障敏感節(jié)點(diǎn),還能容忍時(shí)鐘電路中的單粒子瞬態(tài);版圖面積、功耗和時(shí)鐘電路功耗分別平均下降30.58%,44.53%和26.51%;且該鎖存器的功耗對(duì)工藝、供電電壓和溫度的波動(dòng)不敏感.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61574052,61274036,61371025,61474036) 安徽省自然科學(xué)基金(1608085MF149)
【分類號(hào)】：TN432
【正文快照】： 隨著集成電路進(jìn)入納米尺度,器件尺寸和供電電壓不斷減小,節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)的電荷急劇下降,因此電路對(duì)輻射粒子(中子或α粒子)引發(fā)的電荷收集愈發(fā)敏感[1-2].當(dāng)單個(gè)高能粒子穿過(guò)硅片時(shí),會(huì)電離產(chǎn)生大量的電子空穴對(duì)并被節(jié)點(diǎn)收集,導(dǎo)致節(jié)點(diǎn)的電壓出現(xiàn)波動(dòng).如果此過(guò)程發(fā)生于時(shí)序元件,可能導(dǎo)

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1179033