本文關(guān)鍵詞： 65納米 NOR閃存 整合技術(shù)研究與改進(jìn)　出處：《復(fù)旦大學(xué)》2013年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：1984年,東芝公司發(fā)明人Fujio Masuoka提出了快速閃存存儲器這一概念。1988年Intel首先開發(fā)出NOR Flash技術(shù)后,閃存存儲器其具有功耗低,讀寫快,容量大,成本低等優(yōu)點,使得NOR和NAND成為了目前市場上兩種主要的閃存產(chǎn)品,被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)。隨著消費者對產(chǎn)品的尺寸的要求越來越高,功能越來越強,越來越多,由此對加快提升芯片整合技術(shù)的能力,用來提高產(chǎn)品性價比成了目前制造業(yè)的主要任務(wù)和挑戰(zhàn)。同時也帶動了浮柵結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器NOR Flash記憶體芯片的迅速成長。一直以來,半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展都遵循著著名的Moore定律。即硅芯片集成的晶體管數(shù)目,每過18個月就會翻一倍。微電子器件尺寸都按比例在縮小,它帶動了整個電子裝備向小型化的方向發(fā)展。目前,業(yè)界對非易失性半導(dǎo)體存儲器研發(fā)趨勢主要是集中在兩個方面,一方面是,研發(fā)應(yīng)用新機理、新材料和新結(jié)構(gòu)的全新存儲技術(shù)；另一方面是,繼續(xù)研發(fā)和改進(jìn)發(fā)展主流的Flash存儲技術(shù),盡可能的向更小節(jié)點推進(jìn)。NOR Flash現(xiàn)在技術(shù)已經(jīng)開始進(jìn)入了45nm NOR Flash的技術(shù)節(jié)點時代了,65nm NOR Flash大規(guī)模量產(chǎn)成為了現(xiàn)在市場的迫切需求。對制造行業(yè)來說要實現(xiàn)量產(chǎn)有很多的挑戰(zhàn),需要不斷提升工藝的潛能來達(dá)到最大化的良率。本課題選擇了65nm NOR Flash技術(shù),進(jìn)行了整合工藝的研究。本論文共分五章,首先大體上介紹存儲器的發(fā)展和現(xiàn)狀,然后對NOR Flash的基本結(jié)構(gòu)和工作原理以及NOR Flash在生產(chǎn)工藝過程中遇到的問題理論分析；接著通過對65nm NOR Flash在工藝整合過程中實際遇到的問題進(jìn)行分析,找到問題的源頭；然后通過一些工藝上的調(diào)整和改進(jìn)使產(chǎn)品無論在良率,質(zhì)量和可靠性上都得以提高,實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)；最后是結(jié)論和對未來的存儲器的展望。
[Abstract]:In 1984, Fujio Masuoka, inventor of Toshiba, put forward the concept of fast flash memory. After Intel first developed NOR Flash technology in 1988, flash memory has the advantages of low power consumption, fast reading and writing, large capacity and low cost. NOR and NAND have become two main flash memory products in the market, which are widely used in various embedded systems. This will speed up the enhancement of chip integration technology, It has become the main task and challenge of the manufacturing industry to improve the cost performance ratio of products. It has also led to the rapid growth of NOR Flash memory chips with floating gate structure. The development of semiconductor integrated circuits followed the famous law of Moore. That is, the number of transistors integrated on silicon chips doubled every 18 months. The size of microelectronic devices shrank proportionally. It has led the whole electronic equipment to the direction of miniaturization. At present, the trend of research and development of non-volatile semiconductor memory in the industry is mainly focused on two aspects. On the one hand, the new mechanism of research and development is applied. New storage technologies for new materials and new structures; on the other hand, continuing to develop and improve mainstream Flash storage technologies, Now that technology has entered the era of 45 nm NOR Flash, mass production of 65nm NOR Flash has become an urgent demand in the market. There are many challenges for the manufacturing industry to achieve mass production. It is necessary to improve the potential of the process to maximize the yield. In this paper, 65nm NOR Flash technology is chosen to study the integrated process. This paper is divided into five chapters. Firstly, the development and current situation of memory are introduced. Then the basic structure and working principle of NOR Flash and the problems encountered by NOR Flash in the process of production are analyzed theoretically, and then the problems encountered in the process integration process at 65nm NOR Flash are analyzed to find the source of the problems. Then through some process adjustment and improvement, the product can be improved in terms of yield, quality and reliability, and mass production can be realized. Finally, the conclusion and prospects for future memory are given.
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號】：TP333

【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1532795