使用中國(guó)散裂中子源提供的寬能譜中子束流,開展14 nm Fin FET工藝和65 nm平面工藝靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中子單粒子翻轉(zhuǎn)對(duì)比研究,發(fā)現(xiàn)相比于65 nm器件, 14 nm Fin FET器件的大氣中子單粒子翻轉(zhuǎn)截面下降至約1/40,而多位翻轉(zhuǎn)比例從2.2%增大至7.6%,源于14 nm Fin FET器件靈敏區(qū)尺寸（80 nm×30 nm×45 nm）、間距和臨界電荷（0.05 f C）的減小.不同于65 nm器件對(duì)熱中子免疫的現(xiàn)象, 14 nm Fin FET器件中M0附近10B元素的使用導(dǎo)致其表現(xiàn)出一定的熱中子敏感性.進(jìn)一步的中子輸運(yùn)仿真結(jié)果表明,高能中子在器件靈敏區(qū)中產(chǎn)生的大量的射程長(zhǎng)、LET值大的高Z二次粒子是多位翻轉(zhuǎn)的產(chǎn)生誘因,而單粒子翻轉(zhuǎn)主要來自于p, He, Si等輕離子的貢獻(xiàn). 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(05)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)


本文編號(hào)：3171087