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1. 700V功率VDMOS設(shè)計(jì)

2. VDMOS結(jié)終端技術(shù)對比研究

3. 功率VDMOS器件SPICE模型研究

4. VDMOS電離輻射效應(yīng)快速評估方法

5. 功率VDMOS設(shè)計(jì)與優(yōu)化方法的研究

6. 500V P溝VDMOS的設(shè)計(jì)

7. 150V抗輻射VDMOS的設(shè)計(jì)

8. SiC超結(jié)VDMOS研究與優(yōu)化設(shè)計(jì)

9. 高壓VDMOS VLD終端設(shè)計(jì)與優(yōu)化

10. 金屬封裝VDMOS器件常見封裝缺陷及控制