發(fā)布時(shí)間：2017-08-31 09:39

  本文關(guān)鍵詞：金屬封裝VDMOS器件常見(jiàn)封裝缺陷及控制

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【摘要】：金屬封裝VDMOS器件在軍事以及航天領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。芯片燒結(jié)、引線鍵合和平行縫焊是封裝的三個(gè)主要工序,直接影響封裝的成品率和器件長(zhǎng)期可靠性。針對(duì)三大工序中常見(jiàn)的缺陷進(jìn)行了描述和分析,并分別提出了控制措施和建議。
【作者單位】： 中國(guó)空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠;
【關(guān)鍵詞】： 金屬封裝 VDMOS器件 缺陷
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 半導(dǎo)體功率器件是電力電子領(lǐng)域的重要元器件封裝方面得到了廣泛的應(yīng)用。件,以VDMOS為典型代表的半導(dǎo)體功率器件是如今電力電子器件領(lǐng)域的主流器件,它在大功率開(kāi)關(guān)和功率放大器等領(lǐng)域中的應(yīng)用日漸廣泛[1]。圖1為VDMOS元胞界面示意圖。晶圓片的背面金屬為VDMOS的漏極,后續(xù)封裝是

【相似文獻(xiàn)】

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1 楊東林;孫偉鋒;劉俠;;700V VDMOS設(shè)計(jì)[J];電子器件;2007年02期

2 劉剛;蔡小五;韓鄭生;陸江;王立新;夏洋;;國(guó)產(chǎn)VDMOS電離輻射環(huán)境中的敏感參數(shù)研究[J];核技術(shù);2008年08期

3 譚開(kāi)洲;胡剛毅;楊謨?nèi)A;徐世六;張正t，

本文編號(hào)：764846