本文關(guān)鍵詞：VDMOS結(jié)終端技術(shù)對(duì)比研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(VDMOS)器件的反向耐壓能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中的特定pn結(jié)反偏擊穿電壓,由于pn結(jié)特性,擊穿通常發(fā)生在結(jié)終端。隨著結(jié)終端技術(shù)的發(fā)展,功率VDMOS器件的擊穿特性有了很大的提升。主要介紹了幾種目前常用的結(jié)終端技術(shù)的結(jié)構(gòu)及工作原理,包括場(chǎng)限環(huán)技術(shù)、p+偏移技術(shù)、橫向變摻雜技術(shù)、結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)和RESURF技術(shù)。重點(diǎn)探討了每種方法的優(yōu)缺點(diǎn),并指出幾種結(jié)終端技術(shù)不同的設(shè)計(jì)難度、工藝控制和實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)等。同時(shí)固定元胞設(shè)計(jì),采用不同的結(jié)終端技術(shù)試制了600 V VDMOS產(chǎn)品,對(duì)比了采用不同結(jié)終端技術(shù)制作芯片的工藝制造以及成本,可為實(shí)際的制造生產(chǎn)提供理論指導(dǎo)。
【作者單位】： 深圳方正微電子;
【關(guān)鍵詞】： 結(jié)終端 場(chǎng)限環(huán)(FLR)技術(shù) p+偏移技術(shù) 橫向變摻雜(VLD)技術(shù) 結(jié)終端擴(kuò)展(JTE)技術(shù) RESURF技術(shù)
【分類(lèi)號(hào)】：TN386
【正文快照】： 0引言功率垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor,VDMOS)器件的反向耐壓能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中特定pn結(jié)的反偏擊穿電壓,在器件的內(nèi)部(有源區(qū)),由于各個(gè)元胞之間是并聯(lián)關(guān)系,因此當(dāng)器件承擔(dān)反向耐壓時(shí),各個(gè)元胞的橫向電

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本文編號(hào)：416270