本文關(guān)鍵詞：VDMOS結(jié)終端技術(shù)對比研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應(yīng)管(VDMOS)器件的反向耐壓能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中的特定pn結(jié)反偏擊穿電壓,由于pn結(jié)特性,擊穿通常發(fā)生在結(jié)終端。隨著結(jié)終端技術(shù)的發(fā)展,功率VDMOS器件的擊穿特性有了很大的提升。主要介紹了幾種目前常用的結(jié)終端技術(shù)的結(jié)構(gòu)及工作原理,包括場限環(huán)技術(shù)、p+偏移技術(shù)、橫向變摻雜技術(shù)、結(jié)終端擴展技術(shù)和RESURF技術(shù)。重點探討了每種方法的優(yōu)缺點,并指出幾種結(jié)終端技術(shù)不同的設(shè)計難度、工藝控制和實現(xiàn)要點等。同時固定元胞設(shè)計,采用不同的結(jié)終端技術(shù)試制了600 V VDMOS產(chǎn)品,對比了采用不同結(jié)終端技術(shù)制作芯片的工藝制造以及成本,可為實際的制造生產(chǎn)提供理論指導。
【作者單位】： 深圳方正微電子;
【關(guān)鍵詞】： 結(jié)終端 場限環(huán)(FLR)技術(shù) p+偏移技術(shù) 橫向變摻雜(VLD)技術(shù) 結(jié)終端擴展(JTE)技術(shù) RESURF技術(shù)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言功率垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應(yīng)管(vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor,VDMOS)器件的反向耐壓能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中特定pn結(jié)的反偏擊穿電壓,在器件的內(nèi)部(有源區(qū)),由于各個元胞之間是并聯(lián)關(guān)系,因此當器件承擔反向耐壓時,各個元胞的橫向電

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 唐昭煥;胡剛毅;陳光炳;譚開洲;劉勇;羅俊;徐學良;;A novel structure for improving the SEGR of a VDMOS[J];半導體學報;2012年04期

2 王英;何杞鑫;方紹華;;高壓功率VDMOS管的設(shè)計研制[J];電子器件;2006年01期

3 楊東林;孫偉鋒;劉俠;;700V VDMOS設(shè)計[J];電子器件;2007年02期

4 劉俠;孫偉鋒;王欽;楊東林;;高壓VDMOS電容的研究[J];電子器件;2007年03期

5 蔡小五;海潮和;王立新;陸江;;新型低壓超結(jié)功率VDMOS器件數(shù)值模擬[J];功能材料與器件學報;2007年05期

6 徐丹;殷景華;王鑫宇;;VDMOS器件微觀結(jié)構(gòu)研究[J];應(yīng)用科技;2007年11期

7 劉剛;蔡小五;韓鄭生;陸江;王立新;夏洋;;國產(chǎn)VDMOS電離輻射環(huán)境中的敏感參數(shù)研究[J];核技術(shù);2008年08期

8 譚開洲;胡剛毅;楊謨?nèi)A;徐世六;張正t，

本文編號：416270