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1. 700V功率VDMOS設(shè)計(jì)
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2. VDMOS結(jié)終端技術(shù)對(duì)比研究
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3. 功率VDMOS器件SPICE模型研究
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4. VDMOS電離輻射效應(yīng)快速評(píng)估方法
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5. 功率VDMOS設(shè)計(jì)與優(yōu)化方法的研究
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6. 500V P溝VDMOS的設(shè)計(jì)
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7. 150V抗輻射VDMOS的設(shè)計(jì)
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8. SiC超結(jié)VDMOS研究與優(yōu)化設(shè)計(jì)
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9. 高壓VDMOS VLD終端設(shè)計(jì)與優(yōu)化
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10. 金屬封裝VDMOS器件常見(jiàn)封裝缺陷及控制
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