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1. pH調(diào)節(jié)劑對(duì)藍(lán)寶石襯底CMP的影響

2. 不同絡(luò)合劑與pH值對(duì)鈷CMP去除速率的影響

3. 不同pH值下過(guò)氧化氫對(duì)Ru的CMP的影響

4. 鋁柵堿性CMP的析氫腐蝕

5. 零膨脹CMP回歸模型的變量選擇

6. GaSb單晶片CMP工藝的研究

7. 改進(jìn)遺傳算法在CMP終點(diǎn)檢測(cè)的應(yīng)用

8. 光學(xué)石英玻璃CMP拋光液的研究

9. 氮化鎵晶片的CMP技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢(shì)

10. 硅襯底CMP過(guò)程中拋光霧的控制