本文關(guān)鍵詞：GaSb單晶片CMP工藝的研究　出處：《微納電子技術(shù)》2017年11期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： GaSb 化學(xué)機械拋光(CMP) 表面粗糙度 pH值 氧化劑

【摘要】：主要研究了GaSb單晶片的化學(xué)機械拋光(CMP)。使用硅溶膠作為拋光液對切割、機械拋光后的GaSb單晶片進行了CMP實驗。在實驗中,通過調(diào)節(jié)拋光液配比、pH值等工藝參數(shù),研究不同氧化劑的摻入以及拋光液不同pH值對GaSb單晶片表面的影響。通過實驗得出,最終在pH值為8且使用NaClO作為氧化劑的條件下,得到平整度較好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高質(zhì)量拋光表面的GaSb單晶片。通過微分干涉顯微鏡觀察拋光后的單晶片表面無明顯缺陷。經(jīng)原子力顯微鏡(AFM)測試,單晶片的表面粗糙度達到了0.257 nm。
[Abstract]:The chemical mechanical polishing (CMP) of GaSb monocrystalline wafer was studied. The CMP experiment of GaSb single crystal chip after cutting and mechanical polishing was carried out by using silica sol as polishing liquid. The effects of different oxidant incorporation and different pH value of polishing liquid on the surface of GaSb single crystal wafer were studied by adjusting the technological parameters such as the ratio of polishing liquid and pH value. Finally, when pH is 8 and NaClO is used as oxidant, the smoothness is better and the surface defect is less. GaSb single crystal wafer with low surface roughness and high quality polishing surface. The surface of polished single crystal wafer was observed by differential interference microscope without obvious defects. AFM was measured by atomic force microscope (AFM). The surface roughness of single crystal wafer is 0.257 nm.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十六研究所;
【分類號】：TN305.2
【正文快照】： 0引言GaSb是一種多用途的Ⅲ-Ⅴ型半導(dǎo)體材料,GaSb與其他半導(dǎo)體材料的異質(zhì)結(jié)在近紅外激光器、發(fā)光二極管、大氣污染探測器、熱-光電設(shè)備以及波長2~5μm及8~14μm的光電探測器上表現(xiàn)出了良好的應(yīng)用前景[1-2]。此外,GaSb的晶格常數(shù)使它非常適于作為AlGaIn和AsSb等三元或四元Ⅲ-Ⅴ

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 張忠模;;國外研發(fā)出新一代半導(dǎo)體基板用碳化硅單晶片[J];功能材料信息;2004年01期

2 劉玉嶺,檀柏梅,孫光英,蔣建國;硅單晶片研磨液的研究[J];稀有金屬;2001年06期

3 于妍;張殿朝;楊洪星;;硅單晶片的激光標識技術(shù)研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2011年10期

4 林本付，，郭輝;砷化鎵單晶片拋光工藝研究[J];山東電子;1997年02期

5 魯效明;用兩種四探針方法測量硅單晶片邊緣電阻率及其結(jié)果的比較[J];計量技術(shù);2002年09期

6 高德友;趙北君;朱世富;唐世紅;何知宇;張冬敏;方軍;程曦;;碲鋅鎘單晶片的退火方法[J];功能材料與器件學(xué)報;2008年03期

7 盛柏楨;;SSI研制出400mm硅單晶片[J];半導(dǎo)體信息;2003年03期

8 施為德,陳寶印,劉秀英;硅單晶片的SiO_2拋光[J];半導(dǎo)體技術(shù);1984年02期

9 苗文生;摻AS硅單晶片外延技術(shù)[J];甘肅科技;2004年06期

10 張亞萍;蔣敏;楊成林;孫法;張秀芳;席珍強;;Ge單晶片的堿性化學(xué)腐蝕拋光研究[J];浙江理工大學(xué)學(xué)報;2010年02期

相關(guān)會議論文 前1條

1 董捷;胡小波;韓榮江;李現(xiàn)祥;徐現(xiàn)剛;王繼揚;;高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結(jié)構(gòu)[A];中國硅酸鹽學(xué)會2003年學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2003年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前3條

1 張夢駿;后處理升溫速率對低溫拋光鍺單晶片變形的影響[D];南京航空航天大學(xué);2016年

2 余澤通;基于游離金剛石磨料的SiC單晶片（0001）C面研磨研究[D];南京理工大學(xué);2012年

3 楊洪星;VB-GaAs單晶片拋光技術(shù)研究[D];天津大學(xué);2009年

本文編號：1399608