本文關(guān)鍵詞：鋁柵堿性CMP的析氫腐蝕

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【摘要】：采用堿性拋光液對鋁柵進行化學(xué)機械拋光(CMP),在pH值大于8.3時會發(fā)生析氫反應(yīng),表面產(chǎn)生氫氣泡,在鋁柵表面留下大量蝕坑缺陷,降低平坦化效果,嚴重影響芯片器件性能的完整性和可靠性。對鋁柵在堿性介質(zhì)CMP條件下的析氫反應(yīng)機理及控制理論進行了深入探究。通過接觸角實驗和靜態(tài)腐蝕實驗,并結(jié)合金相顯微鏡觀察靜態(tài)腐蝕后表面狀態(tài),發(fā)現(xiàn)拋光液中加入FA/O I非離子型表面活性劑可有效抑制堿性環(huán)境中鋁柵CMP析氫腐蝕。通過實驗得出,當堿性拋光液中FA/O I非離子型表面活性劑的體積分數(shù)為1.5%時,拋光液的表面張力最小,接觸角最小,抑制析氫腐蝕效果最好。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 鋁柵 化學(xué)機械拋光(CMP) 堿性拋光液 表面活性劑 析氫腐蝕
【基金】：國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項資助項目(2009ZX02308) 國家自然科學(xué)基金資助項目(NSFC61504037) 河北省自然科學(xué)基金資助項目(E2013202247,F2015202267)
【分類號】：TN305.2
【正文快照】： 2.天津市電子材料與器件重點實驗室,天津300130)0引言隨著CMOS晶體管特征尺寸越來越小,柵介質(zhì)厚度達到幾個原子線度范圍內(nèi)時,傳統(tǒng)的柵介質(zhì)會產(chǎn)生嚴重的漏電流,取而代之的高k介質(zhì)和金屬柵的良好兼容有效提升了CMOS晶體管的性能和可靠性。2007年,Intel公司的45 nm技術(shù)中實現(xiàn)了后

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本文編號：605038