本文關(guān)鍵詞：氮化鎵晶片的CMP技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢

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【摘要】：綜述了半導(dǎo)體材料氮化鎵(Ga N)拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了Ga N晶片化學(xué)機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技術(shù)的研究現(xiàn)狀,分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對拋光的影響,指出了CMP亟待解決的技術(shù)和理論問題,并對其發(fā)展方向進行了展望。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十五研究所;
【分類號】：TN305.2
【正文快照】： 氮化鎵(Ga N)是繼第一代半導(dǎo)體材料(Ge、Si)、第二代半導(dǎo)體材料(Ga As、In P等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料,具有大的禁帶寬度、高飽和度電子漂移速度、高擊穿電場強度、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)和抗輻射能力強等優(yōu)良的特性,在高溫、高頻率、大功率、抗輻射及短波長電子器件

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 應(yīng)磊瑩;劉文杰;張江勇;胡曉龍;張保平;;激光剝離GaN表面的拋光技術(shù)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2014年10期

【二級參考文獻】

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1 顏懷躍;修向前;劉戰(zhàn)輝;張榮;華雪梅;謝自力;韓平;施毅;鄭有p，

本文編號：1195445