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581. MOCVD制備不同襯底GaN外延的在線紅外測(cè)溫比較研究
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582. L頻段寬帶GaN芯片高功率放大器設(shè)計(jì)
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583. 硅襯底GaN基LED光電性能及可靠性研究
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584. GaN基稀磁半導(dǎo)體薄膜的制備與性能研究
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585. 基于金剛石的GaN基微波功率器件研究進(jìn)展
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586. GaN-基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究
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587. GaN多量子阱懸空波導(dǎo)探測(cè)器的設(shè)計(jì)與表征
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588. GaN基LED光電器件的壘層研究與設(shè)計(jì)
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589. Ka波段GaN HEMT單片集成功率放大器的設(shè)計(jì)
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590. GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件對(duì)比特性研究
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