發(fā)布時間：2018-07-11 18:12

  本文選題：LED + 發(fā)光效率��； 參考：《電子器件》2015年06期

【摘要】：為了提高Ga N基LED的發(fā)光效率,緩解LED在大電流注入下的效率下降的問題,我們采用在傳統(tǒng)的u型Ga N壘層中插入7 nm的P型層的方法來改善多量子阱層中的空穴分布,提高載流子的輻射復(fù)合速率。實驗結(jié)果表明:在壘層中插入7 nm的P型層使得LED中空穴的分布更加均勻,載流子的輻射復(fù)合速率提高了20%。同時器件在200 m A的注入電流下內(nèi)量子效率提高了36.3%,發(fā)光功率從100 m W提高到140 m W。
[Abstract]:In order to improve the luminescence efficiency of GaN-based LEDs and alleviate the problem of LED efficiency decreasing under high current injection, we adopted the method of inserting a 7nm P-type layer into the traditional U-type gan barrier layer to improve the hole distribution in the multiple quantum well layer. The radiation recombination rate of carriers is increased. The experimental results show that the hole distribution in LED is more uniform and the radiation recombination rate of carrier is increased by 20% by inserting 7 nm P-type layer into the barrier layer. At the same time, the quantum efficiency of the device increases by 36.3 and the luminescence power increases from 100 MW to 140 MW at 200 Ma injection current.
【作者單位】： 洛陽理工學(xué)院電氣工程與自動化學(xué)院;
【基金】：河南省教育廳高等學(xué)校重點科研項目(15A510033)
【分類號】：TM923.34

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本文編號：2116189