L頻段寬帶GaN芯片高功率放大器設計
本文選題:射頻功率放大器 + 匹配網(wǎng)絡。 參考:《電子測量技術》2016年01期
【摘要】:針對當前無線通信系統(tǒng)中射頻功率放大器工作帶寬窄、輸出功率和附加效率低的缺點,本文基于CREE公司的GaN功率管設計了一款新型的L頻段寬帶大功率射頻功率放大器。用源牽引和負載牽引技術測得工作頻段內(nèi)最佳輸入輸出阻抗,再通過集總參數(shù)元件與微帶線結合的方法設計寬帶匹配網(wǎng)絡,并對放大器功率、效率以及諧波分量等指標進行測試。測試數(shù)據(jù)表明,當放大器工作在L頻段300 MHz帶寬內(nèi)(相對工作帶寬為27.7%),輸入功率為34dBm的連續(xù)波(CW)時,其輸出功率可達50.4dBm(108 W),附加效率不低于48%,平坦度為±0.1dB。因此,本文設計的GaN射頻寬帶功率放大器具有帶寬寬、效率高、功率大的特點,具備應用價值。
[Abstract]:Aiming at the shortcomings of narrow bandwidth, low output power and low additional efficiency of RF power amplifier in current wireless communication systems, a novel L-band wideband high power RF power amplifier is designed based on GaN power tube of CREE Company. The optimum input and output impedance in the working frequency band is measured by using source traction and load traction techniques. The broadband matching network is designed by combining lumped parameter elements with microstrip lines, and the power of the amplifier is analyzed. Efficiency and harmonic components are tested. The test data show that when the amplifier operates in the L band 300 MHz bandwidth (the relative operating bandwidth is 27.7kW and the input power is 34dBm), the output power can reach 50.4dBm(108 WN, the additional efficiency is not less than 48 dB, and the flatness is 鹵0.1 dB. Therefore, the GaN RF wideband power amplifier designed in this paper has the characteristics of wide bandwidth, high efficiency and high power.
【作者單位】: 天津大學電子信息工程學院;
【分類號】:TN722.75
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,本文編號:1853434
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