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1. 低溫GaN成核層MOCVD生長(zhǎng)工藝對(duì)GaN外延薄膜影響的研究
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2. 用于GaN功率開(kāi)關(guān)的低損耗高頻全GaN柵極驅(qū)動(dòng)器
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3. 摻雜GaN和GaN/ZnO界面光電性質(zhì)的第一性原理研究
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4. 基于自支撐GaN和藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN MISHEMT器件對(duì)比
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5. 新型本征GaN帽層AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究
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6. InGaN/GaN界面對(duì)Si基GaN黃綠光LED性能影響的研究
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7. 基于AlN和GaN形核層的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件對(duì)比
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8. Cas-GAN:一種基于GAN和強(qiáng)化學(xué)習(xí)的對(duì)話管理策略學(xué)習(xí)方法
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9. p-GaN帽層增強(qiáng)型GaN HEMT器件柵結(jié)構(gòu)與鈍化研究
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10. Novel high voltage RESURF Al GaN /GaN HEMT with charged buff
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