本文選題：金剛石 + 氮化鎵�。� 參考：《西安郵電大學(xué)學(xué)報(bào)》2016年03期

【摘要】：金剛石在目前所知的天然物質(zhì)中具有最高的熱導(dǎo)率,在高頻、大功率GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)和電路的散熱方面極有應(yīng)用潛力。綜述化學(xué)氣相沉積多晶金剛石襯底的襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)、單晶金剛石襯底的直接外延技術(shù)和納米金剛石表面覆膜的器件工藝技術(shù)在GaN基HEMT器件中的應(yīng)用研究和發(fā)展歷程,并分析每種技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
[Abstract]:Diamond has the highest thermal conductivity among known natural materials, and has great potential in high frequency, high power GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) and heat dissipation of circuits. In this paper, the substrate transfer technology of chemical vapor deposition polycrystalline diamond substrate, the direct epitaxy technology of single crystal diamond substrate and the application and development of nano-diamond coated device technology in GaN-based HEMT devices are reviewed. The advantages and disadvantages of each technology are analyzed.
【作者單位】： 國防科工局協(xié)作配套中心;中科院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(61334002)
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：2044992