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41. 位錯(cuò)類型對(duì)GaN基藍(lán)光LED光效衰減效應(yīng)的影響
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42. 中高溫GaN插入層厚度對(duì)藍(lán)光LED光電性能的影響
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43. 納米柱結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基綠光LED內(nèi)量子效率的研究
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44. 壘溫對(duì)硅襯底GaN基藍(lán)光LED發(fā)光效率的影響
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45. 壘結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基綠光LED性能的影響
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46. 中高溫插入層對(duì)GaN基藍(lán)光LED光電性能的影響
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47. GaN基LED不同功能層的MOCVD生長(zhǎng)及其性能研究
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48. 載流子分布對(duì)GaN基LED頻率特性的影響（英文）
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49. 初始應(yīng)力對(duì)垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED光電性能影響的研究
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50. GaN基LED歐姆接觸的第一性原理研究與設(shè)計(jì)
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