藍(lán)光LED的光效衰減可以使器件在高電流密度下的發(fā)光效率急劇降低。研究了GaN材料中不同位錯(cuò)類型對(duì)藍(lán)光LED光效衰減效應(yīng)的影響。通過控制物理氣相沉積AlN緩沖層厚度及GaN緩沖層的有無,得到了兩組不同螺位錯(cuò)和刃位錯(cuò)密度的GaN樣品,其中螺位錯(cuò)密度為1.5×10⁷～1×10⁸ cm^-2,而刃位錯(cuò)密度為2×10⁸～7×10⁸ cm^-2。LED芯片測試結(jié)果表明,外量子效率維持率隨著螺位錯(cuò)密度的增加而提升,從46.1%增加到54.9%;但隨著刃位錯(cuò)密度的增加而降低。刃位錯(cuò)是非輻射復(fù)合中心,會(huì)加劇高電流密度下的光效衰減效應(yīng);而螺位錯(cuò)不是明顯的非輻射復(fù)合中心,較高的螺位錯(cuò)密度可以改善LED的光效衰減效應(yīng)。因此可以通過適當(dāng)增加螺位錯(cuò)密度來提升LED的外量子效率。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(08)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
    2.1 不同緩沖層結(jié)構(gòu)的位錯(cuò)分析
    2.2 不同緩沖層結(jié)構(gòu)的光效衰減分析
    2.3 光效衰減與位錯(cuò)類型的關(guān)系分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]濺射AlN技術(shù)對(duì)GaN基LED性能的影響[J]. 張潔.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(09)
[2]抑制GaN基LED發(fā)光效率衰減的研究進(jìn)展[J]. 曾夢麟,周佐華,陳康,劉為剛,徐迪,余小明.  材料導(dǎo)報(bào). 2012(21)



本文編號(hào)：3484244