本文關(guān)鍵詞：中高溫GaN插入層厚度對(duì)藍(lán)光LED光電性能的影響

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【摘要】：利用金屬有機(jī)氣相化學(xué)沉積(MOCVD)技術(shù)在藍(lán)寶石圖形襯底上生長(zhǎng)GaN基藍(lán)光LED,并系統(tǒng)研究了不同中高溫GaN插入層厚度對(duì)其光電性能的影響。利用芯片測(cè)試儀和原子力顯微鏡(AFM)表征了GaN基藍(lán)光LED外延片的光電性能以及表面形貌。當(dāng)中高溫GaN插入層厚度從60 nm增加至100 nm時(shí),V形坑尺寸從70~110 nm增加至110~150 nm。當(dāng)注入電流為20 mA時(shí),LED芯片的光功率從21.9 mW增加至24.1mW;當(dāng)注入電流為120 mA時(shí),LED芯片的光功率從72.4 mW增加至82.4 mW。對(duì)V形坑尺寸調(diào)控LED光電性能的相關(guān)物理機(jī)制進(jìn)行了分析,結(jié)果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面積和注入效率,進(jìn)而提高LED器件的光功率。
【作者單位】： 太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部和山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;太原理工大學(xué)新材料工程技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵 LED V形坑 空穴注入效率
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(21471111,61475110,61404089,61504090) 山西省基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(2014011016-6,2014021019-1,2015021103) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題(KFJJ201406) 山西省科技創(chuàng)新重點(diǎn)團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(2012041011) 山西省高等學(xué)�？萍紕�(chuàng)新項(xiàng)目(2015131) 浙江省重點(diǎn)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)(2011R50012) 浙江省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目(2013E10022)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 1 引言 Ga N具有導(dǎo)熱性好、禁帶寬度大、擊穿電壓高、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、光譜可覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光波段等優(yōu)點(diǎn)[1-3]。以Ga N為代表的Ⅲ-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體已廣泛應(yīng)用于藍(lán)綠光發(fā)光二極管、紫外探測(cè)器、高電子遷移率晶體管等器件中[4-7]。然而在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)Ga N屬于異

【參考文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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2 張李驪;劉戰(zhàn)輝;修向前;張榮;謝自力;;氫化物氣相外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaN膜生長(zhǎng)參數(shù)優(yōu)化研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年20期

3 張韻;謝自力;王健;陶濤;張榮;劉斌;陳鵬;韓平;施毅;鄭有p，

本文編號(hào)：683616