本文關(guān)鍵詞：壘溫對硅襯底GaN基藍光LED發(fā)光效率的影響　出處：《發(fā)光學(xué)報》2016年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：用MOCVD技術(shù)在硅襯底上生長了GaN基藍光LED外延材料,研究了有源層多量子阱中壘的生長溫度對發(fā)光效率的影響,獲得了不同電流密度下外量子效率(EQE)隨壘溫的變化關(guān)系。結(jié)果表明,在860~915℃范圍內(nèi),發(fā)光效率隨著壘溫的上升而上升。當壘溫超過915℃后,發(fā)光效率大幅下降。這一EL特性與X光雙晶衍射和二次離子質(zhì)譜所獲得的阱壘界面陡峭程度有明顯的對應(yīng)關(guān)系,界面越陡峭則發(fā)光效率越高。壘溫過高使界面變差的原因歸結(jié)為阱壘界面的原子擴散。壘溫偏低使界面變差的原因歸結(jié)為壘對前一個量子阱界面的修復(fù)作用和為后一個量子阱提供臺階流界面的能力偏弱。外延生長時的最佳壘溫范圍為895~915℃。
【作者單位】： 南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點項目(61334001) 863計劃(2011AA03A101)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言2014年,赤崎勇、天野浩和中村修二等三位科學(xué)家因發(fā)明“高效藍色發(fā)光二極管”而獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎。這3位科學(xué)家的突出貢獻在于,20年前他們突破了在藍寶石襯底上制備高光效Ga N基藍光LED的兩大核心技術(shù),即過渡層生長技術(shù)和P型Ga N激活技術(shù)[1-4],從而解決了美國廣

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本文編號：1336200