【摘要】：分別在直流偏置和交流偏置下,對(duì)大功率GaN基LED的電學(xué)和光學(xué)特性進(jìn)行了研究。結(jié)果顯示,通過改變靠近p型層的量子壘(也就是最后一個(gè)量子壘)中的In組分可以調(diào)控有源區(qū)中的載流子分布。有源區(qū)內(nèi)積累的電子會(huì)引起負(fù)電容效應(yīng)。而通過降低有源區(qū)量子壘的勢壘高度,可以改善LED中載流子傳輸特性,并實(shí)現(xiàn)載流子復(fù)合速率及通信調(diào)制帶寬20%的提高。這個(gè)工作將有助于理解GaN基LED中載流子分布對(duì)頻率特性的影響,并為設(shè)計(jì)適用于可見光通信的大功率高速LED奠定基礎(chǔ)。
[Abstract]:The electrical and optical properties of high power GaN based LED are studied under DC bias and AC bias respectively. The results show that the carrier distribution in the active region can be regulated by changing the in component in the quantum barrier near the p-type layer (that is, the last quantum barrier). The accumulation of electrons in the active region results in negative capacitance effects. By reducing the barrier height of the quantum barrier in the active region, the carrier transmission characteristics in LED can be improved, and the carrier recombination rate and the modulation bandwidth of communication can be increased by 20%. This work will be helpful to understand the influence of carrier distribution on the frequency characteristics of GaN based LED and lay a foundation for the design of high power and high speed LED for visible light communication.
【作者單位】： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研發(fā)中心;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中電科電子裝備集團(tuán)有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11574306) 中國國際科技合作計(jì)劃(2015AA03A101,2014BAK02B08,2015AA033303)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：TN312.8

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