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1. 三維陣列及V形坑提升GaN基LED光電性能的研究
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2. V坑對(duì)硅襯底GaN基長(zhǎng)波長(zhǎng)LED光電性能的影響
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3. 量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)含V形坑InGaN/GaN藍(lán)光LED效率衰減的影響
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4. 含V形坑的Si襯底GaN基單量子阱綠光LED有源區(qū)研究
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5. GaN基LED光電特性的研究
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6. InGaN/GaN界面對(duì)Si基GaN黃綠光LED性能影響的研究
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7. V形坑缺陷對(duì)GaN材料性能影響研究
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8. GaN基白光LED電極的失效機(jī)制
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9. 高光效GaN基高壓LED器件制備
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10. GaN基藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
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