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GaN基LED歐姆接觸的第一性原理研究與設(shè)計

發(fā)布時間:2020-07-27 16:03
【摘要】:犧牲Ni退火實驗由南昌大學(xué)江風(fēng)益教授課題組在研制GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管(該成果獲2015年國家技術(shù)發(fā)明一等獎)時提出,該實驗解決了長久以來無法同時獲得高反射和低阻擋的Ag基歐姆接觸的矛盾。本文工作旨在從理論上進一步解釋這一重要的實驗現(xiàn)象,本文采用密度泛函理論的第一性原理贗勢方法發(fā)現(xiàn)界面缺陷可以降低Ag(111)/GaN(0001)界面的勢壘高度,從電子和原子層面上揭示了缺陷調(diào)制界面歐姆接觸的機理,并進一步提出了一種低阻高穩(wěn)定的歐姆接觸實驗設(shè)計方案。歸納起來主要有:利用第一性原理贗勢方法,建立了和實驗高度一致的Ag(111)/GaN(0001)金屬半導(dǎo)體界面模型,并運用宏觀平均靜電勢法對其勢壘高度進行了計算。計算結(jié)果為完整界面的勢壘高度是2.221 eV,這和在Ag/p-GaN界面用I-V-T方法測量值1.9 eV吻合;含Ga空位界面為2.067 eV;含Ni雜質(zhì)界面為0.857 eV;同時含Ni雜質(zhì)和Ga空位界面為0.375 eV。計算發(fā)現(xiàn)缺陷可以調(diào)制界面肖特基勢壘高度,該結(jié)論和犧牲Ni退火實驗吻合。利用第一性原理贗勢方法,分析了完整和缺陷Ag(111)/GaN(0001)界面的電子結(jié)構(gòu),計算發(fā)現(xiàn)缺陷界面區(qū)域有明顯電子的集聚,并且界面的費米能級處于未釘扎狀態(tài);诮缑娼M成對肖特基勢壘高度影響的機理,進一步研究了常用的p型電極金屬(Al、Cu、Au、Pt、Pd、Ti)摻雜到Ag(111)/GaN(0001)界面的勢壘高度。結(jié)果發(fā)現(xiàn)Cu_(Ag)界面表現(xiàn)出和Ni_(Ag)界面相同的讓勢壘高度降低的性質(zhì)。我們創(chuàng)新地提出了犧牲Cu退火實驗方案,為實驗上實現(xiàn)高質(zhì)量的Ag基歐姆接觸提供了設(shè)計思路和理論依據(jù)。
【學(xué)位授予單位】:江西科技師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TN304;O614.371
【圖文】:

模型圖,超晶胞,原子個數(shù),模型


原子個數(shù)為24個Ag原子的Ag(111)超晶胞模型

超晶胞,態(tài)密度,費米能級,非局域


第三章 Ag(111)/GaN(0001)界面的建立及穩(wěn)定性分析密度,該非局域的態(tài)密度對金屬導(dǎo)電性起到?jīng)Q定性的作用。從圖 3.2(b),(c),(d)中可以看出,s,p,d 電子都在費米能級處有一定態(tài)密度,它們都對體系的導(dǎo)電性能和費米面的形成有著貢獻。同時在費米能級處有態(tài)密度的出現(xiàn)也是區(qū)分金屬和非金屬的標(biāo)志。對于導(dǎo)體而言能帶要處于半滿態(tài)才可以導(dǎo)電,反應(yīng)在能帶結(jié)構(gòu)上就是在費米能級附近的非局域態(tài)密度。

費米能級,布里淵區(qū),超晶胞,表面


1 2 3 2 12 3 1 22 2 2 1 3( ) ( )32 22 2 2( )3b a a e eab a a ea (3.6)這里3 2 1 a ( a a) 是晶體原胞體積(注意3a 不是真實 Ag 面心立方晶體的個基矢,這只是一種設(shè)想的晶體)。由1b 和2b 確定的二維六角點陣,它的布區(qū)是正六邊形,如圖 3.3(a)所示,稱為表面布里淵區(qū)或二維布里淵區(qū),我是選取 Ag(111)二維布里淵區(qū)中特殊 k 點進行了能帶計算。相應(yīng)的能帶結(jié)構(gòu)結(jié)果如圖 3.3(b)所示。從圖 3.3(b)中可知,費米能級穿過了能帶,說明了 Ag 作為導(dǎo)體的特征。作為導(dǎo)體的另一方面,需要費米能級和較寬的能帶相交,電子在費米能級附更容易導(dǎo)電,從圖中看出費米能級和能帶相交的寬度較大,并且和 3.2.1 計 Ag(111)態(tài)密度相吻合,沒有尖銳的態(tài)密度在費米能級附近出現(xiàn)。因此,Ag作為 GaN 基歐姆接觸的電極使用,除了已有研究表明很好的反射率以外[32],導(dǎo)電性能也是極好的。

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本文編號:2772059

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