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191. NiSiGe金屬源漏組分對肖特基勢壘Ge MOSFET電學性能的影響
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192. 基于模塊導通電阻的碳化硅MOSFET鍵合線健康狀態(tài)評估方法
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193. 1200V碳化硅MOSFET在智能電網(wǎng)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用特性研究
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194. 高k柵介質(zhì)SOI應(yīng)變硅肖特基源漏MOSFET漏致勢壘降低效應(yīng)研究
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195. 中國電科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片
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196. 4H-SiC平面型和溝槽型MOSFET高低溫下的特性（英文）
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197. 橋式電路中不同封裝SiC MOSFET串擾問題分析及低柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動電路
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198. 小型混動游艇雙向全橋型DC-DC變換器MOSFET開路故障診斷方法
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199. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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200. 中科院微電子所_清華大學微電子所_微電子所銦鎵砷mosfet射頻開關(guān)芯片研究獲進展
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