本文選題：串擾 + SiC　； 參考：《電工技術學報》2017年18期

【摘要】：由于SiC MOSFET開關速度較快,使得橋式電路中串擾問題更加嚴重,這樣不僅限制了SiC MOSFET開關速度的提升,也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結構封裝和開爾文結構封裝的串擾問題分別進行分析,柵漏極結電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關斷狀態(tài)開關管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串擾問題的驅動電路,該驅動電路具有柵極關斷阻抗低、結構簡單、易于控制的特點。分析該驅動電路的工作原理,提供主要參數的計算方法。最后通過實驗測試了兩種結構封裝SiC MOSFET的串擾問題,并且對提出的驅動電路進行了實驗,驗證了其正確性以及對串擾問題的抑制效果。
[Abstract]:Because of the fast switching speed of SiC MOSFET, the crosstalk problem in bridge circuits is more serious, which not only limits the speed of SiC MOSFET switch, but also reduces the reliability of power electronic devices.The crosstalk problems of SiC MOSFET non-Kelvin structure package and Kelvin structure package are analyzed respectively. The charge / discharge current of gate drain junction capacitor and the common source parasitic inductance voltage will cause the change of gate source voltage in switch on state.A drive circuit for crosstalk suppression is proposed. The drive circuit has the advantages of low gate turn-off impedance, simple structure and easy control.The working principle of the drive circuit is analyzed, and the calculation method of the main parameters is provided.Finally, the crosstalk problem of SiC MOSFET encapsulated with two kinds of structures is tested experimentally, and the proposed drive circuit is tested to verify its correctness and the effectiveness of suppressing crosstalk problem.
【作者單位】： 北京交通大學電氣工程學院;
【分類號】：TN386

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本文編號：1742750