本文關(guān)鍵詞：1200V碳化硅MOSFET在智能電網(wǎng)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用特性研究

  更多相關(guān)文章： 智能電網(wǎng) 碳化硅器件 開關(guān)特性 靜態(tài)特性

【摘要】：未來智能電網(wǎng)的發(fā)展中將大量采用電力電子裝置來實(shí)現(xiàn)新能源接入、高壓直流輸電以及電能質(zhì)量的改善等。電力電子裝置的核心元件是功率半導(dǎo)體器件。傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、功率MOSFET等)的發(fā)展已接近其物理極限,而新一代寬禁帶半導(dǎo)體器件(特別是碳化硅功率器件)的優(yōu)異性能正可以滿足未來智能電網(wǎng)對高效率、高性能電力電子裝置的需求。為了準(zhǔn)確地了解并評(píng)估碳化硅功率器件對智能電網(wǎng)中電力電子裝置效率的影響,本文對1 200 V級(jí)碳化硅MOSFET的動(dòng)靜態(tài)特性進(jìn)行了系統(tǒng)完整的測試和分析,并將其功率損耗特性與相同功率等級(jí)的硅基MOSFET進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測試與對比。結(jié)果表明,采用碳化硅MOSFET可以大幅度減小電力電子裝置的功率損耗,特別是器件的通態(tài)損耗。相比于采用硅基MOSFET的電力電子變換器,采用碳化硅功率器件的裝置其器件損耗可以減少60%以上。最后,本文對碳化硅功率器件在未來智能電網(wǎng)中的應(yīng)用進(jìn)行了展望。
【作者單位】： 清華大學(xué)電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備安全控制和仿真國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【關(guān)鍵詞】： 智能電網(wǎng) 碳化硅器件 開關(guān)特性 靜態(tài)特性
【基金】：國網(wǎng)科技項(xiàng)目(SGRI-WD-71-14-003) 北京市科委項(xiàng)目(D131100001913003)
【分類號(hào)】：TM76;TN386
【正文快照】： 0引言未來智能電網(wǎng)的發(fā)展中,電力電子裝置將得到大范圍的應(yīng)用,如分布式新能源接入、高壓直流輸電(HVDC)、柔性交直流輸電、電能質(zhì)量控制等。電力電子裝置的核心元件是功率半導(dǎo)體器件[1-3]。傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件主要以硅基功率半導(dǎo)體器件為主,目前其發(fā)展已接近其物理極限。新

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本文編號(hào)：823824