<正>中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所基于自主開發(fā)的工藝,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面溝道結(jié)構(gòu),在柵極電壓20 V、漏極電壓2.0 V時,漏源導(dǎo)通電流達(dá)20 A,閾值電壓達(dá)1.6 V,1 200 V下器件的泄漏電流小于10μA,溝道反型層載流子遷移率達(dá)17.0 cm2·V^-1·s^-1,n型歐姆接觸電阻率小于5×10^-5Ω·cm²,芯片面積為4.5 mm×4.5 mm。該芯片可封裝為TO-247形式,應(yīng)

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