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141. SiC MOSFET功率模塊高溫隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究
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142. 大容量SiC MOSFET串聯(lián)關(guān)鍵技術(shù)研究
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143. 具有絕緣柱結(jié)構(gòu)的雙柵MOSFET的性能研究
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144. 一種新型的SOI MOSFET襯底模型提取方法
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145. 三維功率MOSFET器件漏極持續(xù)電流分析方法
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146. 基于雙重柵極絕緣層的雙柵MOSFET研究
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147. 用于精確預(yù)測(cè)SiC MOSFET開關(guān)特性的分析模型
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148. 一種電荷平衡結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)
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149. 寄生電感對(duì)碳化硅MOSFET開關(guān)特性的影響
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150. 1200V碳化硅MOSFET的仿真設(shè)計(jì)和優(yōu)化
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