本文關(guān)鍵詞：三維功率MOSFET器件漏極持續(xù)電流分析方法

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【摘要】：二維功率MOSFET器件的漏極持續(xù)電流是一個受限于封裝形式和芯片設(shè)計的極限參數(shù),傳統(tǒng)分析方法是通過器件的最大耗散功率對其進行評估�；谌S集成技術(shù)的功率MOSFET器件,散熱路徑熱阻難于精確確定,故提出一種針對三維集成功率MOSFET器件,以晶格自加熱效應(yīng)為基礎(chǔ)的漏極持續(xù)電流分析方法,并以一顆開關(guān)工作狀態(tài)下的100 V功率VDMOS器件為研究對象,在正向設(shè)計階段分析了功率VDMOS器件漏極持續(xù)電流的導(dǎo)通偏置條件。最后通過流片結(jié)果驗證了該方法的可行性。
【作者單位】： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 漏極持續(xù)電流 三維集成 自加熱效應(yīng) 導(dǎo)通偏置條件
【基金】：國家自然科學(xué)基金地區(qū)科學(xué)基金項目(61464002) 貴州省科技合作項目(黔科合LH字[2015]7636) 貴州省科學(xué)技術(shù)基金(黔科合J字[2014]2066號)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 功率MOSFET器件作為電力電子設(shè)備中的主要元件之一,廣泛地應(yīng)用于各種高速開關(guān)電路、開關(guān)電源、高功率放大電路、電力轉(zhuǎn)換電路、電機變頻調(diào)速、控制電路與功率負載之間的開關(guān)電路等[1]。目前,高可靠功率MOSFET器件的制作工藝仍然以平面集成工藝為主,器件面積將隨著電流容量的增

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本文編號：910539