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1. 4H-SiC歐姆接觸研究及其應(yīng)用
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2. 半絕緣4H-SiC光導(dǎo)開(kāi)關(guān)研究
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3. 4H-SiC功率BJT器件特性研究
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4. 4H-SiC納米結(jié)構(gòu)調(diào)制及應(yīng)用研究
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5. 4H-SiC MESFET特性對(duì)比及仿真
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6. 基于4H-SiC的中子探測(cè)技術(shù)研究
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7. SiO 2 /4H-SiC界面氮化退火
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8. 4H-SiC同質(zhì)外延基面位錯(cuò)的轉(zhuǎn)化
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9. 高壓4H-SiC BJT功率器件特性研究
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10. 4H-SiC JBS溝槽結(jié)構(gòu)的仿真研究
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