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1. 基于第一性原理的a-Si:H紅外特性研究
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2. 不同雙柵極設(shè)計對a-Si:H TFT特性影響
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3. 基于溫和等離子體處理的a-Si薄膜的鈍化研究
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4. 排氣方式及工藝參數(shù)對等離子體刻蝕a-Si均一性的影響
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5. 新型等離子束源CVD制備a-Si:H薄膜特性的研究
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6. 非對稱雙柵結(jié)構(gòu)a-Si:H薄膜晶體管溝道電勢統(tǒng)一模型
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7. a-Si∶H/a-SiC∶H多層薄膜的光、電特性研究
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8. a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備與性能研究
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9. a-Si:H薄膜中Si y H x 結(jié)構(gòu)組態(tài)的原子模擬研究
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10. 非晶硅平板探測器（a-Si EPID）在放射治療劑量驗證中的應(yīng)用研究
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