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1. a-Si∶H/a-SiC∶H多層薄膜的光、電特性研究
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2. PECVD制備a-Si:H（nc-Si:H）/a-SiC:H多層薄膜的光電特性研究
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3. 基于第一性原理的a-Si:H紅外特性研究
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4. 不同雙柵極設(shè)計(jì)對a-Si:H TFT特性影響
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5. a-Si:H薄膜中Si y H x 結(jié)構(gòu)組態(tài)的原子模擬研究
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6. 新型等離子束源CVD制備a-Si:H薄膜特性的研究
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7. 非對稱雙柵結(jié)構(gòu)a-Si:H薄膜晶體管溝道電勢統(tǒng)一模型
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8. 襯底溫度對氫離子束輔助磁控濺射制備a-Si∶H薄膜結(jié)構(gòu)特性的影響
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9. a-Si:H/c-Si p-i-n結(jié)構(gòu)的側(cè)向光伏效應(yīng)測試與調(diào)控
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10. 基于溫和等離子體處理的a-Si薄膜的鈍化研究
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