本文關(guān)鍵詞：非對稱雙柵結(jié)構(gòu)a-Si:H薄膜晶體管溝道電勢統(tǒng)一模型

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【摘要】：針對非對稱雙柵結(jié)構(gòu)的非晶硅薄膜晶體管,根據(jù)高斯定理建立了表面勢與背電勢隨柵壓變化的隱含關(guān)聯(lián)方程組,通過求解一維泊松方程推導(dǎo)了前、背柵壓獨立偏置條件下統(tǒng)一的溝道電勢模型.該模型所需參數(shù)可由實驗直接提取,數(shù)值擬合量少,在特定條件下可簡化為對稱雙柵模型.在此基礎(chǔ)上,文中利用數(shù)學(xué)變換及Lambert W函數(shù)提出了表面勢與柵壓隱含方程的近似求解方法.數(shù)值模擬結(jié)果顯示,該方法具有良好的數(shù)值收斂特性,可直接用于器件仿真軟件的初值設(shè)定,有效提升了模型自洽解的運算效率.
【作者單位】： 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61274085)~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 相對單柵而言,雙柵結(jié)構(gòu)的非晶態(tài)薄膜晶體管(TFT)由于場效應(yīng)遷移率高、亞閾特性好、驅(qū)動能力強(qiáng)等優(yōu)點而受到業(yè)界的重視,已廣泛應(yīng)用于大面積有源矩陣液晶面板、有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)等領(lǐng)域[1-2].建立獨立偏置條件下完整的溝道電勢模型對研究不同溝道界面特性

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