本文關(guān)鍵詞：排氣方式及工藝參數(shù)對(duì)等離子體刻蝕a-Si均一性的影響

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【摘要】：本文對(duì)在等離子體刻蝕工藝中,功率、壓強(qiáng)、氣體比例重要參數(shù)對(duì)a-Si刻蝕均一性的影響進(jìn)行了研究。采用PECVD成膜、RIE等離子體刻蝕,并通過(guò)臺(tái)階儀和光譜膜厚測(cè)定儀對(duì)膜厚進(jìn)行表征。結(jié)果表明壓強(qiáng)在10~15Pa,功率在5 500~6 500 W的參數(shù)區(qū)間,a-Si刻蝕均一性波動(dòng)不大,適合工業(yè)化生產(chǎn)。a-Si刻蝕速率及刻蝕均一性對(duì)氣體比例較為敏感,SF6∶HCl=800∶2 800mL/min時(shí)a-Si刻蝕均一性為最佳。四角排氣方式對(duì)維持等離子體濃度作用明顯,有利于刻蝕均一性的提升。四周排氣方式會(huì)破壞等離子體濃度進(jìn)而破壞a-Si刻蝕的均一性。
【作者單位】： 中航光電子有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 等離子體刻蝕 a-Si 均一性 排氣方式
【分類號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 1引言液晶顯示技術(shù)目前已經(jīng)相當(dāng)成熟。液晶顯示屏采用薄膜晶體管作為像素驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān),因此稱之為T(mén)FT-LCD(thin film transistor)。按照開(kāi)關(guān)材料分類,市場(chǎng)主流的技術(shù)有:a-Si(非晶硅)、低溫多晶硅(LTPS)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)[1-2]。以a-Si為材料的TFT技術(shù)已非常成熟占據(jù)市場(chǎng)50%的份

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