本文關鍵詞：排氣方式及工藝參數(shù)對等離子體刻蝕a-Si均一性的影響

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【摘要】：本文對在等離子體刻蝕工藝中,功率、壓強、氣體比例重要參數(shù)對a-Si刻蝕均一性的影響進行了研究。采用PECVD成膜、RIE等離子體刻蝕,并通過臺階儀和光譜膜厚測定儀對膜厚進行表征。結果表明壓強在10~15Pa,功率在5 500~6 500 W的參數(shù)區(qū)間,a-Si刻蝕均一性波動不大,適合工業(yè)化生產。a-Si刻蝕速率及刻蝕均一性對氣體比例較為敏感,SF6∶HCl=800∶2 800mL/min時a-Si刻蝕均一性為最佳。四角排氣方式對維持等離子體濃度作用明顯,有利于刻蝕均一性的提升。四周排氣方式會破壞等離子體濃度進而破壞a-Si刻蝕的均一性。
【作者單位】： 中航光電子有限公司;
【關鍵詞】： 等離子體刻蝕 a-Si 均一性 排氣方式
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 1引言液晶顯示技術目前已經相當成熟。液晶顯示屏采用薄膜晶體管作為像素驅動開關,因此稱之為TFT-LCD(thin film transistor)。按照開關材料分類,市場主流的技術有:a-Si(非晶硅)、低溫多晶硅(LTPS)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)[1-2]。以a-Si為材料的TFT技術已非常成熟占據市場50%的份

【相似文獻】

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本文編號：622083