本文關(guān)鍵詞：不同雙柵極設(shè)計(jì)對(duì)a-Si:H TFT特性影響

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【摘要】：本實(shí)驗(yàn)于原有的單底柵a-Si TFT產(chǎn)品結(jié)構(gòu)下,通過(guò)增加不同的頂柵極設(shè)計(jì)方式(不同a-Si覆蓋比例、不同溝道幾何形貌、不同溝道W/L比例)來(lái)研究雙柵極設(shè)計(jì)對(duì)a-Si TFT特性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示雙柵極a-Si TFT比現(xiàn)行單底柵a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同時(shí)對(duì)I_(off)以及TFT穩(wěn)定性影響不明顯,顯示雙柵極a-Si TFT設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)具有在不提高成本以及不變更工藝流程下,達(dá)到整體提升TFT特性的效果。頂柵極TFT特性不如底柵極,推測(cè)為a-Si/PVX界面不佳使得電子導(dǎo)通困難導(dǎo)致,未來(lái)可以借由改善a-Si/PVX界面工藝提升頂柵極TFT特性。
【作者單位】： 合肥鑫晟光電科技有限公司;
【分類(lèi)號(hào)】：TN321.5
【正文快照】： (Xingsheng Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Hefei 230012,China)1引言非晶硅薄膜晶體管液晶顯示(a-Si TFTLCD)是當(dāng)今平板顯示(FPD)技術(shù)的主流,a-Si TFT元件作為Array陣列開(kāi)關(guān)對(duì)于LCD顯示質(zhì)量有重要的影響,是優(yōu)化改善的重點(diǎn)方向,其中高開(kāi)口率高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(high ape，

本文編號(hào)：1288153