氫化非晶硅薄膜（a-Si:H）中Si_yH_x結(jié)構(gòu)組態(tài)對薄膜應(yīng)用性能有重要影響,然而現(xiàn)有的分析測試手段難以對其進(jìn)行深入細(xì)致的研究.本文運(yùn)用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬分析了a-Si:H/c-Si薄膜中Si_yH_x結(jié)構(gòu)組態(tài),以及襯底溫度對其含量的影響;并進(jìn)一步運(yùn)用第一性原理方法計(jì)算了各Si_yH_x組態(tài)中的Si-H鍵能.結(jié)果發(fā)現(xiàn)aSi:H薄膜中Si_yH_x結(jié)構(gòu)可以歸納為六種組態(tài).三類為以化學(xué)鍵結(jié)合的SiH_x組態(tài),包括SiH,SiH₂和SiH₃;另外三類為以物理鍵結(jié)合的HSi_y組態(tài),包括HSi₂（s）,HSi₂（1）和HSi₃.鍵能結(jié)果反映出六種組態(tài)的穩(wěn)定性由高到低的順序?yàn)镾iH> SiH₂> SiH₃> HSi_2<... 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(07)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氫化非晶硅中光致亞穩(wěn)性退化的物理機(jī)制[J]. 秦國剛,孔光臨.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 1988(01)



本文編號：3300922