氫化非晶硅薄膜（a-Si:H）中Si_yH_x結構組態(tài)對薄膜應用性能有重要影響,然而現(xiàn)有的分析測試手段難以對其進行深入細致的研究.本文運用分子動力學方法模擬分析了a-Si:H/c-Si薄膜中Si_yH_x結構組態(tài),以及襯底溫度對其含量的影響;并進一步運用第一性原理方法計算了各Si_yH_x組態(tài)中的Si-H鍵能.結果發(fā)現(xiàn)aSi:H薄膜中Si_yH_x結構可以歸納為六種組態(tài).三類為以化學鍵結合的SiH_x組態(tài),包括SiH,SiH₂和SiH₃;另外三類為以物理鍵結合的HSi_y組態(tài),包括HSi₂（s）,HSi₂（1）和HSi₃.鍵能結果反映出六種組態(tài)的穩(wěn)定性由高到低的順序為SiH> SiH₂> SiH₃> HSi_2<... 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(07)北大核心EISCICSCD

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【參考文獻】：
期刊論文
[1]氫化非晶硅中光致亞穩(wěn)性退化的物理機制[J]. 秦國剛,孔光臨.  半導體學報. 1988(01)



本文編號：3300922