a-Si∶H/a-SiC∶H多層薄膜的光、電特性研究
發(fā)布時間：2021-11-01 04:54
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術,以SiH4、CH4和H2為反應氣體,在單晶硅和石英襯底上制備a-Si∶H/a-SiC∶H多層薄膜。利用透射電子顯微鏡（TEM）對樣品的微結構進行了表征,同時對其電子輸運性質和光吸收特性進行了實驗研究。結果表明,本實驗條件下制備的多層薄膜樣品為非晶態(tài)多層薄膜結構,并且樣品具有良好的周期性結構和陡峭的界面特性。室溫條件下,樣品在垂直方向上呈現出多勢壘順序共振隧穿特性。由于量子限制效應,當a-Si∶H勢阱層厚度<8nm,隨著勢阱層厚度減小,樣品的光學帶隙增大,光吸收系數減小。
【文章來源】：功能材料. 2016,47(10)北大核心CSCD
【文章頁數】：4 頁
【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
2.1 微結構表征
2.2 載流子輸運特性
2.3 光吸收特性
3 結論
【參考文獻】：
期刊論文
[1]nc-Si:H/α-SiC:H多層膜的結構與光吸收特性[J]. 馬蕾,蔣冰,陳乙豪,沈波,彭英才. 物理學報. 2014(13)
[2]The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory[J]. 湯振杰,李榮,殷江. Chinese Physics B. 2013(06)
[3]Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structures[J]. 陶也了,左玉華,鄭軍,薛春來,成步文,王啟明,徐駿. Chinese Physics B. 2012(07)
本文編號：3469534
【文章來源】：功能材料. 2016,47(10)北大核心CSCD
【文章頁數】：4 頁
【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
2.1 微結構表征
2.2 載流子輸運特性
2.3 光吸收特性
3 結論
【參考文獻】：
期刊論文
[1]nc-Si:H/α-SiC:H多層膜的結構與光吸收特性[J]. 馬蕾,蔣冰,陳乙豪,沈波,彭英才. 物理學報. 2014(13)
[2]The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory[J]. 湯振杰,李榮,殷江. Chinese Physics B. 2013(06)
[3]Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structures[J]. 陶也了,左玉華,鄭軍,薛春來,成步文,王啟明,徐駿. Chinese Physics B. 2012(07)
本文編號：3469534
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