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81. 硅基與藍(lán)寶石襯底上的GaN-LEDs性能差異分析
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82. 阱區(qū)結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基LED器件光電性能影響的研究
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83. GaN基紫外LED多量子阱勢(shì)阱層材料生長(zhǎng)條件的研究
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84. 不同轉(zhuǎn)移工藝制備的垂直結(jié)構(gòu)Si襯底GaN基LED光衰研究
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85. 圖形化藍(lán)寶石襯底形貌對(duì)GaN基LED出光性能的影響
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86. GaN基薄膜LED倒裝芯片表面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及光萃取效率研究
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87. 4-inch藍(lán)寶石圖形襯底上GaN基白光LED制備及表征
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88. 高光效大功率藍(lán)光InGaN/GaN LED芯片制造及其漏電機(jī)理研究
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89. GaN基LED中引入銀納米結(jié)構(gòu)對(duì)其發(fā)光效率影響的研究
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90. 硅襯底GaN基黃光LED的生長(zhǎng)條件對(duì)光電性能影響的研究
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