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1. Performance improvement of InGaN/GaN multiple quantum well v
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2. 量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)含V形坑InGaN/GaN藍(lán)光LED效率衰減的影響
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3. InGaN/GaN多量子阱發(fā)光特性的研究
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4. InGaN/GaN界面對(duì)Si基GaN黃綠光LED性能影響的研究
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5. InGaN/GaN多量子阱太陽(yáng)能電池研究
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6. InGaN/GaN多量子阱的制備及物性研究
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7. 光電耦合對(duì)InGaN/GaN量子阱光學(xué)性能的影響
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8. InGaN/GaN超晶格厚度對(duì)Si襯底GaN基藍(lán)光發(fā)光二極管光電性能的影響
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9. InGaN/GaN基納米柱LED的制備及光學(xué)特性研究
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10. In組分漸變的InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)光學(xué)特性
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