天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 科技論文 > 電子信息論文 >

阱區(qū)結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基LED器件光電性能影響的研究

發(fā)布時(shí)間:2018-03-19 20:25

  本文選題:硅襯底 切入點(diǎn):GaN 出處:《南昌大學(xué)》2016年碩士論文 論文類型:學(xué)位論文


【摘要】:硅襯底GaN基LED因具有制造成本低、封裝工藝簡(jiǎn)單、器件可靠性高等優(yōu)點(diǎn),一直吸引著廣大學(xué)者的研究熱情。從2004年第一支實(shí)用水平藍(lán)光LED的研制成功,到2013年器件各項(xiàng)光電性能可與主流技術(shù)路線媲美,本實(shí)驗(yàn)室硅襯底GaN基LED制造技術(shù)已日趨成熟。已逐步建立并優(yōu)化了硅襯底LED外延結(jié)構(gòu),包括量子阱個(gè)數(shù)、阱壘周期厚度與摻雜、n型層摻雜、p型層摻雜等主體結(jié)構(gòu)特征。作為有源區(qū)的量子阱及其附近結(jié)構(gòu)對(duì)于LED器件的光電性能具有決定性作用,本論文以前期研究工作為基礎(chǔ),通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化量子阱cap層、低溫GaN準(zhǔn)備層、p-AlGaN電子阻擋層以及p型層等緊鄰量子阱的各功能層(在此統(tǒng)稱這些功能層為阱區(qū)結(jié)構(gòu))的參數(shù)來(lái)提升LED器件的光電性能。主要得到了以下結(jié)論:1.通過(guò)厚度改變,研究了量子壘生長(zhǎng)中的cap層厚度對(duì)器件光電性能的影響,得出了以下結(jié)論:10?cap層樣品量子阱In組分更均勻,阱壘界面更清晰;工作電流密度下,10?cap層樣品相比于7?樣品具有更高的光功率、外量子效率以及更低的工作電壓和半峰寬。效率的提升是由于量子阱壘界面變好對(duì)載流子能起到更好地限制作用,電壓的下降則是由于界面變好同時(shí)使得歐姆接觸電阻值降低了。因此,我們認(rèn)為在該實(shí)驗(yàn)中10?cap層厚度的量子阱對(duì)于提高器件的發(fā)光效率和各項(xiàng)光電性能具有積極意義。2.通過(guò)改變藍(lán)光LED量子阱準(zhǔn)備層中低溫GaN的厚度,研究了V-pits大小對(duì)于器件光電性能的影響。隨著V-pits尺寸的增大,外延薄膜中量子阱內(nèi)的In組分有所升高,量子阱應(yīng)變明顯變小,馳豫度顯著增大;V-pits尺寸越大,工作電流密度下光功率和外量子效率越高,效率衰減越小,工作電壓越小,漏電流越小。這主要得益于V-pits具有屏蔽位錯(cuò)和增加空穴注入的作用。同時(shí)我們注意到,漏電現(xiàn)象隨著V-pits尺寸的繼續(xù)增加出現(xiàn)由降低到升高的轉(zhuǎn)折,主要是由于V-pits對(duì)位錯(cuò)的屏蔽作用和V-pits增大會(huì)新增缺陷這兩種因素競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。硅襯底GaN基LED器件具有易于散熱、電流擴(kuò)展好的優(yōu)點(diǎn),因而我們制得器件的可靠性都很高,選取合適大小的V-pits尺寸可以進(jìn)一步減小老化光衰。3.通過(guò)制備含有大V-pits的綠光LED器件,研究了量子阱后p-AlGaN電子阻擋層(EBL)厚度變化對(duì)器件光電性能的影響。隨著電子阻擋層厚度的增加,器件漏電得到了明顯抑制,工作電流密度時(shí)的EQE增加,效率衰減現(xiàn)象得到緩解。這是由于V-pits側(cè)壁更厚的勢(shì)壘,有效阻擋了電子泄漏。低電流密度時(shí),隨著EBL厚度增加,外量子效率先下降再升高,主要是受輻射復(fù)合效率增加和空穴注入效率降低兩種因素共同影響。繼續(xù)增加EBL厚度時(shí),由于有效空穴注入不足,外量子效率會(huì)降低,效率衰減現(xiàn)象變得更嚴(yán)重。因此,在本實(shí)驗(yàn)中我們認(rèn)為40nm p-AlGaN EBL有利于提升綠光LED器件各項(xiàng)光電性能。4.通過(guò)設(shè)計(jì)不同的外延結(jié)構(gòu),研究了量子阱后P型層厚度對(duì)硅襯底GaN基藍(lán)光LED器件光電性能的影響。P型層減薄后的樣品在工作電流密度下具有更高的光輸出功率、發(fā)光效率和更低的工作電壓,同時(shí),反向漏電情況也得以改善。主要是由于P型層減薄區(qū)域更有利于空穴的注入,使得輻射復(fù)合增加,串聯(lián)電阻減小。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】:南昌大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN312.8

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 江風(fēng)益;劉軍林;王立;熊傳兵;方文卿;莫春蘭;湯英文;王光緒;徐龍權(quán);丁杰;王小蘭;全知覺(jué);張建立;張萌;潘拴;鄭暢達(dá);;硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管[J];中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué);2015年06期

2 劉軍林;張建立;王光緒;莫春蘭;徐龍權(quán);丁杰;全知覺(jué);王小蘭;潘拴;鄭暢達(dá);吳小明;方文卿;江風(fēng)益;;Status of GaN-based green light-emitting diodes[J];Chinese Physics B;2015年06期

3 王建霞;汪連山;張謙;孟祥岳;楊少延;趙桂娟;李輝杰;魏鴻源;王占國(guó);;Effect of the thickness of InGaN interlayer on a-plane GaN epilayer[J];Chinese Physics B;2015年02期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前4條

1 吳小明;含V形坑的Si襯底GaN基藍(lán)光LED發(fā)光性能研究[D];南昌大學(xué);2014年

2 鄭暢達(dá);硅基GaN外延膜生長(zhǎng)與LED性能提升研究[D];南昌大學(xué);2014年

3 張建立;硅襯底氮化鎵基黃光LED外延生長(zhǎng)與器件性能研究[D];南昌大學(xué);2014年

4 王光緒;硅基LED量子阱相關(guān)特性及芯片p面技術(shù)研究[D];南昌大學(xué);2012年



本文編號(hào):1635863

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1635863.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶e3aa0***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com
亚洲精品一二三区不卡| 老富婆找帅哥按摩抠逼视频| 中文字幕欧美视频二区| 国产精品久久男人的天堂| 国产成人午夜av一区二区| 国产精品成人一区二区在线 | 免费大片黄在线观看国语| 国产精品日韩欧美第一页| 91精品视频全国免费| 精品久久少妇激情视频| 午夜视频成人在线观看| 91香蕉视频精品在线看| 国产女高清在线看免费观看| 午夜精品一区二区av| 欧美黑人在线精品极品| 国产精品视频一区麻豆专区| 亚洲精品黄色片中文字幕| 91麻豆精品欧美一区| 很黄很污在线免费观看| 国产精品不卡高清在线观看| 日本道播放一区二区三区| 欧美国产日韩变态另类在线看| 亚洲日本加勒比在线播放 | 高清亚洲精品中文字幕乱码| 国产一区二区三区午夜精品| 黑色丝袜脚足国产一区二区| 欧美有码黄片免费在线视频| 国产一区二区三区不卡| 中文文精品字幕一区二区| 黄色片国产一区二区三区| 国产精品福利精品福利| 日韩欧美国产精品自拍| 国产不卡最新在线视频| 好吊视频有精品永久免费| 在线视频三区日本精品| 九九热这里只有精品哦| av在线免费观看一区二区三区| 尹人大香蕉一级片免费看| 日本一本不卡免费视频| 日韩欧美国产精品自拍| 国产乱淫av一区二区三区|