本文選題：圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS) + 襯底形貌��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年05期

【摘要】：近年來,圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)作為GaN基LED外延襯底材料被廣泛應(yīng)用。通過干法刻蝕和濕法腐蝕制備了不同規(guī)格和形狀的藍(lán)寶石襯底圖形,并進(jìn)行外延生長、芯片制備和封裝驗(yàn)證,采用掃描電子顯微鏡(SEM)和3D輪廓儀進(jìn)行形貌表征,研究了不同規(guī)格和形狀的襯底圖形對(duì)LED芯片出光性能影響,并與外購錐形襯底(PSSZ2)進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明,在20 m A工作電流下,PSSZ2的LED光通量為8.33 lm。采用類三角錐和盾形襯底的LED光通量分別為7.83 lm和7.67 lm,分別比PSSZ2襯底低6.00%和7.92%。對(duì)錐形形貌進(jìn)行優(yōu)化,采用高1.69μm、直徑2.62μm、間距0.42μm的錐形襯底(PSSZ3)的LED光通量為8.67 lm,比PSSZ2襯底高4.08%,優(yōu)化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能。
[Abstract]:In recent years, graphic sapphire substrate (PSS) has been widely used as GaN-based LED epitaxial substrate. The sapphire substrate shapes of different sizes and shapes were prepared by dry etching and wet etching. The sapphire substrate was epitaxially grown, chip fabricated and packaged verified. The morphology was characterized by scanning electron microscopy (SEM) and 3D profilometer. The influence of substrate shapes of different sizes and shapes on the output performance of LED chips was studied and compared with that of external tapered substrates (PSSZ2). The results show that the luminous flux of PSSZ2 is 8.33 lm at 20 Ma operating current. The luminous flux of LED on triangular cone and shield substrate is 7.83 lm and 7.67 lm respectively, which is 6.00% and 7.92% lower than that of PSSZ2 substrate, respectively. The shape of the cone is optimized. The luminous flux of the LED on the tapered substrate (PSSZ3) with a diameter of 2.62 渭 m and a distance of 0.42 渭 m is 8.67 lm, which is 4.08 higher than that of the PSSZ2 substrate. The optimized PSSZ3 can effectively improve the light output of the LED.
【作者單位】： 同輝電子科技股份有限公司;
【基金】：電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金資助項(xiàng)目(工信部財(cái)[2013]472號(hào))
【分類號(hào)】：TN312.8

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