本文關(guān)鍵詞：硅基與藍寶石襯底上的GaN-LEDs性能差異分析　出處：《實驗技術(shù)與管理》2016年03期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在簡要闡述硅基與藍寶石襯底的GaN研究與發(fā)展基礎(chǔ)上,就此兩種不同襯底上GaN-LEDs性能進行了對比分析,并對這兩種襯底上的LED進行了相應(yīng)的表征實驗。通過AFM和XRD等分析手段揭示了器件的結(jié)構(gòu)特性,對器件性能(I-V和EL以及I-L測試)進行了相應(yīng)的評價。通過分析相關(guān)實驗數(shù)據(jù)得出:在電學(xué)特性與光學(xué)性能兩方面,藍寶石襯底上的LED均優(yōu)于硅襯底上的LED。
[Abstract]:On the basis of a brief description of the research and development of GaN on silicon and sapphire substrates, the properties of GaN-LEDs on two different substrates are compared and analyzed. The LED on these two substrates was characterized by AFM and XRD. By analyzing the experimental data, it is concluded that the electrical properties and optical properties of the devices are both electrical and optical. The LED on sapphire substrate is better than that on silicon substrate.
【作者單位】： 南通大學(xué)電子信息學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金面上項目(61475178) 江蘇省“六大人才高峰”基金項目(2013-XCL-013) 江蘇省高校品牌建設(shè)工程一期項目(PPZY2015B135) 南通大學(xué)引進人才科研基金項目(03080666) 南通大學(xué)校級自然科學(xué)基金項目(14Z003;14ZY003) 南通大學(xué)課程項目(JP14022;2014B44;2014B43)
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 近年來,新型寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)展迅速,特別是GaN材料。因其具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,在光電子應(yīng)用領(lǐng)域一直備受關(guān)注。由于大尺寸的GaN單晶材料很難獲得,通常都通過異質(zhì)外延方法獲取高質(zhì)量的GaN材料。一般襯底的選擇都需遵循一系列的原則,例如晶體結(jié)構(gòu)是否一致

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本文編號：1402636