在4-inch藍寶石圖形襯底上,基于InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)制備了藍光LED芯片,并通過與釔鋁石榴石黃色熒光粉(YAG∶Ce³⁺)結(jié)合,封裝成白光LED器件。簡要介紹了外延生長和芯片工藝及封裝流程,并對材料特性及器件性能進行了表征。外延片表面形貌良好,藍光外延片熒光光譜（PL）顯示峰值波長為442 nm。對封裝后白光芯片進行電學特性測試,得出其開啟與限流電壓分別為2.7 V與3.6 V。此外,電致發(fā)光光譜（EL）含有兩個主要的發(fā)光峰,分別是440 nm的藍光峰以及540 nm的黃綠光峰,而隨著注入電流的增加,藍光峰位先藍移后紅移,黃綠光峰位先紅移后藍移再紅移。本文中相關(guān)的芯片制備及表征技術(shù)將對固態(tài)照明研究起到一定的促進作用。 

【文章來源】：發(fā)光學報. 2020,41(07)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實 驗
3 結(jié)果與討論
4 結(jié) 論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3162906