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71. GaN基LED電子阻擋層的第一性原理計(jì)算和設(shè)計(jì)
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72. GaN基LED在短期電流應(yīng)力老化過(guò)程中的光電性能研究
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73. 非故意摻雜GaN層厚度對(duì)藍(lán)光LED波長(zhǎng)均勻性的影響
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74. Si襯底上GaN基近紫外LED的缺陷控制及能帶調(diào)控
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75. InGaN/GaN多量子阱LED載流子泄漏與溫度關(guān)系研究
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76. 藍(lán)光GaN基Micro-LED芯片制備及激光剝離工藝研究
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77. 基于石墨烯-ZnO納米線(xiàn)的復(fù)合電極在GaN LED中的應(yīng)用
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78. 濕化學(xué)清洗設(shè)備在GaN基LED正裝芯片制程中的應(yīng)用
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79. GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED的n型電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及芯片制備
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80. PSS側(cè)壁弧度優(yōu)化及對(duì)GaN基LED出光效率的影響
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