通過測量光電流,直接觀察了InGaN/GaN量子阱中載流子的泄漏程度隨溫度升高的變化關(guān)系。當LED溫度從300K升高到360K時,在相同的光照強度下,LED的光電流增大,說明在溫度上升之后,載流子從量子阱中逃逸的數(shù)目更多,即載流子泄漏比例增大。同時,光電流的增大在激發(fā)密度較低的時候更為明顯,而且光電流隨溫度的增加幅度與激發(fā)光子的能量有關(guān)。用量子阱-量子點復(fù)合模型能很好地解釋所觀察到的實驗現(xiàn)象。實驗結(jié)果直接證明,隨著溫度的升高,InGaN/GaN量子阱中的載流子泄漏將顯著增加,而且在低激發(fā)密度下這一效應(yīng)更為明顯。溫度升高導(dǎo)致的載流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED發(fā)光效率隨溫度升高而降低的重要原因。

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【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



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