基于半導(dǎo)體制造工藝,制備了尺寸為50μm×80μm的藍(lán)光氮化鎵(GaN)基MicroLED芯片。芯片的正向?qū)妷涸?.55V左右;測(cè)試了10顆LED芯片在1mA注入電流下的電壓值,得到的最大值和最小值分別為3.24和3.12V,波動(dòng)幅度在4%以內(nèi)。在1mA的測(cè)試電流下,測(cè)試芯片的EL光譜峰值波長(zhǎng)和半高寬分別為453和14.4nm,芯片的外量子效率可達(dá)12.38%,芯片發(fā)光均勻且亮度很大。測(cè)試結(jié)果表明,所制備的Micro-LED芯片具有優(yōu)異的光電性能。此外,通過激光剝離技術(shù),實(shí)現(xiàn)了Micro-LED芯片的轉(zhuǎn)移。研究了激光剝離工藝對(duì)MicroLED芯片光電性能的影響,發(fā)現(xiàn)在優(yōu)化的工藝條件下,激光剝離對(duì)芯片的光電性能幾乎無影響。這些結(jié)果有助于小間距微尺寸LED芯片陣列及顯示技術(shù)的研究。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
    2.1 制備芯片的光電性能
    2.2 激光剝離工藝對(duì)芯片的影響
3 結(jié)論



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