本文關(guān)鍵詞：PSS側(cè)壁弧度優(yōu)化及對(duì)GaN基LED出光效率的影響

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【摘要】：為進(jìn)一步提高基于圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)技術(shù)的氮化鎵(GaN)基LED的出光效率,針對(duì)PSS微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁弧度進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。研究實(shí)驗(yàn)采用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),通過(guò)優(yōu)化三氟甲烷(CHF3)和三氯化硼(BCl3)氣體體積流量比,實(shí)現(xiàn)了對(duì)微結(jié)構(gòu)側(cè)壁弧度的有效調(diào)控。此外,對(duì)各種類(lèi)型GaN基LED芯片的光學(xué)特性進(jìn)行了測(cè)試表征,并結(jié)合蒙特卡羅光線追跡方法模擬了PSS微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁弧度變化對(duì)LED軸向、側(cè)面和總出光效率的影響。實(shí)驗(yàn)和理論模擬結(jié)果表明,微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁弧度對(duì)LED出光效率有顯著影響,當(dāng)微結(jié)構(gòu)側(cè)壁中心到內(nèi)接圓錐側(cè)壁中心的距離為(150±10)nm時(shí),LED的出光效率將進(jìn)一步提高8.9%。
【作者單位】： 中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61327801) 工業(yè)和信息化部電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金資助項(xiàng)目(工業(yè)和信息化部財(cái)[2013]472號(hào)) 廣東省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015A030312011)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 0引言雖然發(fā)光二極管(LED)早已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,但距離真正意義上的固態(tài)照明尚存在一定差距,主要表現(xiàn)在白光LED亮度偏低且成本昂貴。獲得白光LED的主要技術(shù)路線是基于GaN基藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃光熒光粉形成白光,故進(jìn)一步提高GaN基藍(lán)光LED芯片的出光效率是目前的發(fā)展趨勢(shì),也是國(guó)內(nèi)外研

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1301535