本文關鍵詞：GaN基垂直結構LED的n型電極結構設計及芯片制備

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【摘要】：首先利用電流路徑模型分析n型電極尺寸及間距等對垂直結構發(fā)光二極管(VS-LEDs)電流分布均勻性的影響,依此設計出一種螺旋狀環(huán)形結構電極。其次,通過建立有限元分析軟件Comsol仿真模型模擬VSLEDs有源層的電流密度分布,發(fā)現(xiàn)螺旋狀環(huán)形結構電極的環(huán)間距越小,電流密度分布越均勻。最后,利用VS-LEDs芯片制備技術實現(xiàn)具有螺旋狀環(huán)形電極的垂直結構LED芯片。實驗結果顯示,在350 m A電流驅動下,電極環(huán)間距為146.25μm的芯片具有最大的功能轉換效率,達到26.8%。
【作者單位】： 華南理工大學廣東省光電工程技術研究中心物理與光電學院;
【基金】：國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)(2014AA032609) 國家自然科學基金(61404050) 廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)專項資金(2012A080302003) 中央高校基本科研業(yè)務費(2014ZM0036)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言氮化鎵(Ga N)基發(fā)光二極管(LED)自問世以來,得到了飛速的發(fā)展,廣泛應用于交通信號、建筑裝飾、全彩顯示、背光源、汽車前照燈以及室內外照明等領域[1-2]。傳統(tǒng)結構Ga N基LED芯片通常是指在藍寶石襯底上制備的n型和p型電極分布于同側的一種芯片[3]。由于藍寶石襯底的電絕

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本文編號：1248530